Синтез и характеристика нового индия-галлия (Синтез и характеристика нового индия-галлия) Система InSe-GaSe »была опубликована в Journal of Solid State Chemistry (v. 304, 2021), индексируемом в базах данных Web of Science и SCOPUS (https: //doi.org/10.1016/j.jssc.2021.122569).

Структурные свойства твердых растворов In1-xGaxSe (0 £ x £ 1) изучены методами рентгеновской дифракции (XRD), дифференциального термического анализа (DTA) и рамановской спектроскопии. В фазе In0.7Ga0.3Te обнаружен фазовый переход от гексагональной структуры к тетрагональной. Используя теорию функциональной плотности (DFT), были теоретически рассчитаны электронные, оптические и динамические свойства ромбической фазы Pnnm InGaSe2. Было показано, что стехиометрическая фаза InGaSe2 представляет собой прямолинейный полупроводник и что ширина запрещенной зоны может регулироваться последовательностью выравнивания слоев InSe / GaSe. Расположение края оптического поглощения в области видимого света указывает на то, что это соединение является многообещающим материалом для фотоэлектрических приложений. Анализ рассчитанного фононного спектра InGaSe2 показывает, что оптические моды очень близки к акустическим модам, которые являются основными теплоносителями, а акустические моды сильно диффундируют от низкочастотных оптических мод. Последнее событие приводит к сильному ослаблению решеточной теплопроводности этого кристалла и делает возможным термоэлектрические приложения этого вещества.