Сотрудниками кафедры физической электроники физического факультета Бакинского государственного университета путем электрохимической инокуляции в HF + спирт + получены листы наноструктурированного пористого Si (MS или MSCD) с размером пор в диапазоне 8-70 нм на пластинах p-Si. соль металла + раствор типа сахарозы.

Структуры типа p-Si / MSCD / CdS были приготовлены путем нанесения тонких слоев наноструктуры CdS методом фотоэлектрохимического осаждения на поверхность слоев MSCD. Установлено, что чувствительность конструкций к различным газам естественной природы (кислород, пары спирта, азот, аргон, оксид углерода) можно целенаправленно контролировать в зависимости от размера пор и технологических параметров. Проведение дубления в среде металл + сахароза не только повышает чувствительность к газу, но и обеспечивает стабильность параметров конструкций.