Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsinin Fiziki elektronika kafedrasının əməkdaşları HF+spirt+metal duzu+ saxaroza tipli məhlulda elektrokimyəvi aşılandırma üsulu ilə p-Si lövhələri üzərində məsamələrinin ölçüsü 8-70 nm intervalında idarə edilə bilən nanoquruluşlu məsaməli-Si (MS və ya MSCD) təbəqələr almışdır.
MSCD təbəqələrinin səthinə foto-elektrokimyəvi çökdürmə üsulu ilə CdS nanoquruluşlu nazik təbəqələrini çökdürülməklə p-Si/MSCD/CdS tipli strukturlar hazırlanmışdır. Müəyyən olunmuşdur ki, strukturların müxtəlif təbiətli qazlara (oksigen, spirt buxarı, azot, arqon, dəm qazı) qarşı həssaslığı məsamələrin ölçüsündən və texnoloji parametrlərdən asılı olaraq məqsədyönlü şəkildə idarə oluna bilir. Aşılandırmanın metal+saxaroza mühitində aparılması qaza qarşı həssaslığı artırmaqla bərabər, strukturların parametrlərinin stabilliyini də təmin edir.
